經(jīng)濟(jì)觀察網(wǎng) 記者 黃一帆 9月28日，中國半導(dǎo)體功率器件設(shè)計公司新潔能（605111.SH）在上交所主板正式掛牌上市，上市當(dāng)天股價一字漲停，截至收盤股價為28.67元/股，漲幅為44%。

據(jù)了解，新潔能本次A股發(fā)行價為19.91元/股，發(fā)行數(shù)量為2530萬股，保薦機(jī)構(gòu)（主承銷商）為平安證券股份有限公司。

據(jù)了解，新潔能的主營業(yè)務(wù)為 MOSFET、IGBT 等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研發(fā)設(shè)計及銷售。產(chǎn)品主要應(yīng)用于消費電子、汽車電子、工業(yè)電子、新能源汽車/充電樁、智能裝備制造、物聯(lián)網(wǎng)、光伏新能源等領(lǐng)域。

三季報營收與凈利雙雙預(yù)增

據(jù)招股書顯示，新潔能成立于2013年1月，專業(yè)從事MOSFET（金屬—氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研發(fā)設(shè)計及銷售。

新潔能為專業(yè)化垂直分工廠商，芯片主要由公司設(shè)計方案后交由芯片代工企業(yè)進(jìn)行生產(chǎn)，功率器件主要由公司委托外部封裝測試企業(yè)對芯片進(jìn)行封測代工而成，公司已初步完成先進(jìn)封裝測試生產(chǎn)線的建設(shè)，將少部分芯片自主封裝后對外銷售。

據(jù)了解，目前公司量產(chǎn)屏蔽柵功率 MOSFET 及超結(jié)功率 MOSFET 的企業(yè)之一，是國內(nèi)最早同時擁有溝槽型功率 MOSFET、超結(jié)功率 MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET 及 IGBT 四大產(chǎn)品平臺的本土企業(yè)之一。

從營收來看，近年營收凈利較快增長，2017-2019年新潔能分別實現(xiàn)營業(yè)收入5.04億元、7.16億元和 7.73億元，凈利潤分別為 5189.11 萬元、1.41億元和 9820.95萬元。

值得一提的是，新潔能預(yù)計今年1-9 月營業(yè)收入?yún)^(qū)間為 6.4億元至 6.55億元，同比上漲18.05%至20.82%；預(yù)計2020年1-9月歸屬于母公司所有者的凈利潤區(qū)間為9200萬元至9700萬元，同比上漲44.82%至52.69%。

新潔能本次發(fā)行募集資金扣除發(fā)行費用后，將主要用于“超低能耗高可靠性半導(dǎo)體功率器件研發(fā)升級及產(chǎn)業(yè)化項目”“半導(dǎo)體功率器件封裝測試生產(chǎn)線建設(shè)項目”“碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目”“研發(fā)中心建設(shè)項目”及“補(bǔ)充流動資金”。

對于公司的發(fā)展戰(zhàn)略，新潔能董事長、總經(jīng)理朱袁正在上市路演中表示：公司將專注于中高端半導(dǎo)體功率器件和模塊的研發(fā)設(shè)計及銷售。在保持MOSFET產(chǎn)品技術(shù)和市場優(yōu)勢基礎(chǔ)上，公司將不斷引進(jìn)各類管理、技術(shù)、營銷人才，構(gòu)建高效、現(xiàn)代化的經(jīng)營管理體系，進(jìn)一步拓展MOSFET產(chǎn)品、重點深化IGBT產(chǎn)品，成為國內(nèi)自主創(chuàng)新、技術(shù)領(lǐng)先、品質(zhì)高端的自主品牌的優(yōu)質(zhì)企業(yè)。

同時，朱袁正還表示，公司將進(jìn)一步加大研發(fā)投入，持續(xù)整合半導(dǎo)體功率器件封裝測試環(huán)節(jié)垂直產(chǎn)業(yè)鏈，掌控先進(jìn)半導(dǎo)體功率器件封裝產(chǎn)線并布局SiC/GaN（碳化硅/氮化鎵）寬禁帶半導(dǎo)體功率器件，進(jìn)一步強(qiáng)化企業(yè)核心競爭力，加快發(fā)展成為國際一流的半導(dǎo)體功率器件企業(yè)。

持續(xù)投入研發(fā)

為持續(xù)鞏固并提升公司在市場中的技術(shù)競爭優(yōu)勢，近幾年公司持續(xù)加大研發(fā)投入。

數(shù)據(jù)顯示，2017年—2019年，公司研發(fā)費用分別為2162.27萬元、3283.88萬元、3449.53萬元，年均復(fù)合增長率為26.31%。

截至 2020 年 1 月 19 日，公司擁有 97 項專利，其中發(fā)明專利 35 項，發(fā)明專利數(shù)量和占比在國內(nèi)半導(dǎo)體功率器件行業(yè)內(nèi)位居前列；公司擁有的該等專利與 MOSFET、IGBT、功率模塊以及先進(jìn)工藝技術(shù)密切相關(guān)，對公司核心技術(shù)形成了專利保護(hù)，對同行業(yè)競爭者和潛在競爭者均形成了較高的技術(shù)壁壘。

此外，公司參與在 IEEE等國際知名期刊中發(fā)表論文 13 篇，其中 SCI 收錄論文 7 篇，不斷提升公司自身在先進(jìn)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的整體技術(shù)水平，縮小了與國際一流半導(dǎo)體功率器件企業(yè)的技術(shù)差距，拉大了與國內(nèi)同行業(yè)競爭者的技術(shù)差距。

公司與科研院所在功率器件設(shè)計領(lǐng)域開展長期合作，針對重點項目成立了技術(shù)攻關(guān)小組。公司持續(xù)推進(jìn)高端 MOSFET、IGBT 的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，在已推出先進(jìn)的超結(jié)功率 MOSFET、屏蔽柵功率 MOSFET 和超薄晶圓 IGBT 數(shù)款產(chǎn)品基礎(chǔ)上，進(jìn)一步對上述產(chǎn)品升級換代。公司目前亦率先在國內(nèi)研發(fā)基于 12 英寸晶圓片工藝平臺的 MOSFET 產(chǎn)品，部分產(chǎn)品已處于小批量風(fēng)險試產(chǎn)環(huán)節(jié)。

公司表示，進(jìn)一步提前布局半導(dǎo)體功率器件最先進(jìn)的技術(shù)領(lǐng)域，開展對 SiC/GaN 寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的研究探索和產(chǎn)業(yè)化，緊跟最先進(jìn)的技術(shù)梯隊，提升公司核心產(chǎn)品競爭力和國內(nèi)外市場地位。

據(jù)了解，目前新潔能功率器件應(yīng)用范圍已經(jīng)逐步拓展至新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)等新領(lǐng)域，可以說未來凡是用到電的地方，就會用到功率器件。

據(jù)Gartner 統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，汽車行業(yè)越來越成為下游主要需求方，而功率半導(dǎo)體尤其是MOSFET及IGBT，是汽車電子的核心，根據(jù)Strategy Analytics的分析，在傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)車上，功率半導(dǎo)體價值為71美元，占據(jù)車用半導(dǎo)體總價值的21%；而在純電動車上，功率半導(dǎo)體價值為387美元，占據(jù)車用半導(dǎo)體總價值的55%。

根據(jù)全球知名市場研究機(jī)構(gòu)IHS統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2016 年、2017年國內(nèi)MOSFET市場份額分別為22.07億美元、26.39億美元。新潔能 2016 年、2017 年分別占國內(nèi) MOSFET 市場份額比例分別為（年度平均匯率分別為 6.6423、6.7518）2.88%、2.83%，且公司為除英飛凌（Infineon）、安森美（ON Semiconductor）、瑞薩電子（Renesas Electronics）等 9 家外資品牌外的國內(nèi)排名前茅的 MOSFET研發(fā)設(shè)計及銷售本土企業(yè)。