存儲行業(yè)觸底反彈 AI帶來新增量和技術(shù)革新

21經(jīng)濟網(wǎng)2024-05-31 11:12

人工智能技術(shù)發(fā)展方興未艾,推動大算力時代拉開序幕。但一個行業(yè)共識是,目前我國算力性能超過存儲能力,產(chǎn)生的數(shù)據(jù)難以被完全存儲并轉(zhuǎn)化為價值。

根據(jù)相關(guān)規(guī)劃,到2025年,我國存儲總量要超過1800EB。而到2023年6月底,全國存力總規(guī)模為超過1080EB。這意味著,中間還有超700EB的巨大存儲缺口亟待補充。

巨大的缺口意味著巨大的增長潛力。作為半導體行業(yè)中最大細分市場之一,存儲芯片在經(jīng)歷近兩年的低迷后,在2023年第四季度出現(xiàn)復蘇跡象,2024年一季度延續(xù)回暖的勢頭。這種復蘇勢頭的背后,很難說不是AI的推動。

“以人工智能為主的新興領域推動存儲市場需求持續(xù)向好,存儲行業(yè)價格自2023年三季度起至今一直處于上升通道,公司銷售收入規(guī)模、毛利率增長延續(xù)良好態(tài)勢,凈利潤水平較去年同期大幅提升?!币患褹股內(nèi)存芯片公司對21世紀經(jīng)濟報道記者表示。

記者注意到,僅從A股存儲器板塊2023年年報和2024年一季報來看,業(yè)績已經(jīng)呈現(xiàn)明顯向好趨勢,多家公司提及服務器市場需求上升的推動。

此外,隨著算力需求越發(fā)提升,市場對數(shù)據(jù)存儲的容量、效率、流動性和安全性等方面也提出了更高的要求,這推動著新型存儲芯片技術(shù)的創(chuàng)新,給產(chǎn)業(yè)鏈帶來新的機遇。

存儲產(chǎn)業(yè)鏈格局

目前為投資者熟知的存儲產(chǎn)業(yè)鏈,即指半導體存儲器產(chǎn)業(yè)鏈,上游主要包括硅片、光刻膠、電子特種氣體等原材料和設備供應商;中游半導體存儲器,存儲芯片是其核心組成部分;下游主要應用于消費電子、信息通信、汽車電子、工業(yè)電子、服務器、物聯(lián)網(wǎng)設備等領域。

存儲芯片進一步細分為兩種,分別是易失性存儲器和非易失性存儲器,易失性存儲器主要包含靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM);非易失性存儲器主要包含可編程只讀存儲器(PROM)、閃存存儲器(Flash)、可擦可編程只讀存儲器(EPROM/EEPROM)等。其中Flash和DRAM存儲器是主流存儲產(chǎn)品,合計市場份額約達99%。

而在FLASH存儲器技術(shù)中,常見的兩種類型是NOR Flash和NAND Flash,前者市場規(guī)模相對較小且競爭日趨激烈,國際存儲器龍頭紛紛退出中低端NOR Flash市場,產(chǎn)能或讓位于高毛利的高容量NOR Flash,或轉(zhuǎn)向DRAM和NAND Flash業(yè)務。

因此,更準確地說,DRAM和NAND Flash占據(jù)了當前存儲器芯片市場的主要份額。

在DRAM領域,目前全球存儲器產(chǎn)業(yè)處于高度壟斷,主要的DRAM廠商包括韓國的三星電子、SK海力士和美國的美光科技,占據(jù)全球90%以上的市場份額,排名其后的多為中國臺灣地區(qū)的企業(yè)。NAND FLASH市場情況與之類似,2023年,三星和SK海力士共占據(jù)49.5%的市場份額,鎧俠占比21.6%,美光占比10.3%。

眾所周知,由于下游需求整體不振,存儲芯片市場已經(jīng)低迷了兩年之久,一眾巨頭和A股存儲產(chǎn)業(yè)鏈業(yè)績均未能幸免。但2023年下半年以大模型為代表的人工智能技術(shù)迅猛發(fā)展后,全球存儲芯片市場面臨前所未有的供應緊張局面,尤其是對高性能存儲的需求暴漲。

那么,AI端側(cè)對存儲需求的增長到底如何直觀感受?

根據(jù)國泰君安的一份最新研報,從需求側(cè)看,DRAM晶圓需求主要集中在服務器、移動市場、PC三部分,其中服務器占比36.71%,移動占比37.67%,PC占比11.95%。NAND需求主要集中在手持設備,企業(yè)級SSD,PC SSD三部分,其中手持設備占比32.17%,企業(yè)級SSD占比18.45%,PC SSD占比24.82%。

其中,AI增長對服務器存儲需求增量較大,以GB200 NVL72為例——單臺GB200 NVL72(HBM+LPDDR5x)消耗晶圓片數(shù)為15.21片。以手機為例,若內(nèi)存由8GB增加至16GB,DRAM晶圓新增消耗量約3643.26千片,若閃存容量由256GB增加至512GB,NAND晶圓新增消耗量約4033.61千片。

據(jù)測算,到2025年AI對于存儲晶圓的消耗(包括服務器,手機,PC存儲容量增加)相較于2023年年末,DRAM與NAND市場的需求增量分別為20.63%、22.25%。

復蘇背后的動力

在這樣的背景下,從2023年四季度開始,SK海力士率先迎來盈利。今年一季度,美光、三星等廠商也實現(xiàn)扭虧為盈。

兆易創(chuàng)新(603986.SH)第一大營收產(chǎn)品為存儲器,具體包括NOR Flash、SLC Nand Flash和DRAM。2023年,由于終端市場需求疲弱,公司業(yè)績下滑明顯,今年一季度業(yè)績才有所恢復。佰維存儲(688525.SH)、江波龍(301308.SZ)、普冉股份(688766.SH)等存儲器廠商均表現(xiàn)出相同的業(yè)績走勢。

其中一家公司負責人在接受21世紀經(jīng)濟報道記者采訪時表示,“公司今年一季度有不錯的表現(xiàn),就二季度來看,上游廠商也有一些合約價格的上行,我們的產(chǎn)品價格基本上是隨行就市的情況。”

華邦電子主要致力于中小容量的DRAM產(chǎn)品以及Flash產(chǎn)品,公司相關(guān)負責人接受21世紀經(jīng)濟報道記者采訪時說道:“從去年Q3末、Q4初到現(xiàn)在,市場需求方面無論是手機、PC、服務器,還是電視這些大眾的消費類電子產(chǎn)品,需求相對于去年在某種程度上展現(xiàn)出了恢復態(tài)勢?!?/p>

不過需要指出的是,本輪存儲周期的拐點并非單一來自下游市場復蘇,而更多是上述原廠削減資本開支,減少晶圓產(chǎn)能等多重措施,使得存儲市場供需逐漸回歸平衡。

對于未來的推動力,前述A股公司受訪人士表示,“在AI的驅(qū)動下,會帶動存儲規(guī)格的提升,例如服務器需要更多高性能、高容量、高傳輸速率的產(chǎn)品,這將帶動整體存儲行業(yè)技術(shù)迭代?!?/p>

“消費電子產(chǎn)品的銷量正常情況是持續(xù)增長的,同時每個產(chǎn)品所需的容量也會不可逆地持續(xù)增加,相信2024年乃至以后,存儲領域的原動力會一直存在,同時AI也會帶動新一波的增長?!比A邦電子相關(guān)負責人補充道。

兆易創(chuàng)新也在年報中談道,就AI而言,除在云端算力的爆發(fā)式需求外,其端側(cè)的應用也將快速發(fā)展和普及。在手機和PC需求企穩(wěn)的背景下,疊加AI大趨勢,預計2024年存儲市場將恢復增長。

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